gambar1. simbol thyristor |
- JENIS-JENIS THYRISTOR
gambar2. Silicon Controlled Rectifier |
Thyristor ini memiliki dv/dt yang tinggi, biasanya 1000V/µs dan di/dt sebesar 1000 A/ µs. Turn-off yang cepat dan di/dt yang tinggi akan sangat penting untuk mengurangi ukuran dan berat dari komponen rangkaian reaktif dan/atau commutating. Tegangan keadaan on dari thyristor 2200 A, 1800 V, dan waktu turn off sangat cepat, sekitar 3 sampai 5 µs, biasa dikenal sebagai asymmetrical thyristor (ASCRT).
gambar3. simbol GTO |
Thyristor normal (rectifier silikon dikontrol) tidak sepenuhnya switch dikontrol (a "sepenuhnya dikontrol switch" dapat diaktifkan dan dinonaktifkan di akan). Thyristor hanya dapat dihidupkan dan tidak bisa dimatikan. Thyristor diaktifkan ON oleh sinyal gerbang, tapi bahkan setelah sinyal gerbang adalah de-menegaskan (dihapus), thyristor tetap di ON-negara sampai kondisi turn-off terjadi (yang dapat penerapan tegangan balik ke terminal, atau ketika arus yang mengalir melalui (maju saat ini) jatuh di bawah nilai ambang tertentu yang dikenal sebagai "holding current"). Dengan demikian, thyristor berperilaku seperti dioda semikonduktor normal setelah dihidupkan atau "dipecat".
GTO dapat diaktifkan oleh sinyal gerbang, dan juga dapat dimatikan oleh sinyal gerbang polaritas negatif. Aktifkan dilakukan dengan pulsa "arus positif" antara gerbang dan katoda terminal. Sebagai gerbang-katoda berperilaku seperti persimpangan PN, akan ada beberapa tegangan yang relatif kecil antara terminal. Pergantian fenomena di GTO Namun, tidak dapat diandalkan sebagai SCR (thyristor) dan gerbang kecil arus positif harus dipertahankan bahkan setelah menyalakan untuk meningkatkan keandalan.
gambar4. perbandingan SCR dengan GTO |
gambar5. struktur dan simbol TRIAC |
Gambar5 menjelaskan bahwa TRIAC pada dasarnya merupakan gabungan dari 2 buah SCR yang rangkai secara bolak balik dengan gate disatukan. TRIAC bekerja mirip seperti SCR yang paralel bolak-balik, sehingga dapat melewatkan arus dua arah.
gambar6. simbol RCT |
Suatu RCT dapat dipandang sebagai suatu kompromi antara karakteristik devais dan kebutuhan dari rangkaian RCT dapat dianggap sebagai suatu thyristor dengan built-in diode anti paraler. RCT juga dikenal sebagai aymmetrical thyristor (ASCR). Tegangan forward blocking berfariasi antara 400 sampai dengan 2000 V dan rating arus bergerak hingga 500 A. Tegangan blocking revers biasanya sekitar 30 sampai dengan 40 V. karena rasio arus maju yang melalui thyristor terhadap arus reverse dari diode tetap untuk suatu devais, aplikasinya dibatasi oleh perancangan rangkaian tertentu.
6. Static induction thyristor (SITH)
SITH biasanya dihidupkan dengan memberikan tegangan gerbang positif seperti thyristor biasa dan dimatikan dengan memberikan tegangan negatif pada gerbangnya. SITH merupakan devais dengan pembawa muatan minoritas. Akibatnya, SITH memiliki resistansi/tegangan jatuh keadaan on yang rendah dan dapat dibuat dengan rating tegangan dan arus yang lebih tinggi.
SITH memiliki kecepatan switching yang tinggi dengan kemampuan dv/dt dan di/dt yang tinggi. Waktu switchingnya berada pada orde 1 sampai dengan 6 µs. Rating tegangan dapat mencapai 2500 V dan rating arus dibatasi 500 A. Devais ini sangat sensitive terhadap proses produksi, gangguan kecil pada proses produsi akan menghasilkan perubahan yang besar pada karakteristik devais.
7. Light-activated silicon-controlled rectifier (LASCR)
gambar7. simbol LASCR |
LASCR digunakan untuk pemakaian arus dan tegangan yang tinggi. LASCR menyediakan isolasi elektris penuh antara sumber cahaya pen-trigger dan devais switching dari converter daya, dengan potensial mengambang tinggi hingga beberapa kilovolt.
8. FET-controlled thyristor(FET-CTH)
gambar8. simbol FET-CTH |
Devais ini dapat dihidupakan seperti thyristor konvensional, akan tetapi tidak dapat dimatikan oleh kendali gerbang. Hal ini akan sangat diperlukan pada aplikasi yang optical firing digunakan untuk menghasilkan isolasi elektrik antara masukan atau sinyal control dan devais pensaklaran dari converter daya.
9. MOS-controlled thyristor (MCT)
gambar9. simbol MCT |
MCT dapat beroperasisebagai devais yang dikontrol oleh gerbang jika arusnya lebih kecil dari arus maksimum yang dapat dikontrol. Usaha untuk membuat MCT off pada arus yang melebihi nilai itu akan menyebabkan kerusakan pada devais. Untuk nilai arus yang tinggi, MCT harus dimatikan seperti thyristor biasa. Lebar pulsa gerbang tidak kritis untuk arus devais yang lebih kecil. Untuk arus besar, lebar pulsa turn off harus lebih besar dari pulsa turn-off harus lebih besar.
sumber:
http://teknikelektronika.com/pengertian-scr-silicon-controllled-rectifier-prinsip-kerja-scr/
https://en.wikipedia.org/wiki/Gate_turn-off_thyristor
http://zonaelektro.net/triac/
http://bersamabelajaruntuktahu.blogspot.co.id/2010/08/jenis-jenis-thyristor.html
http://www.eng.uwi.tt/depts/elec/staff/rdefour/ee33d/s4_ttypes.html
http://www.circuitstoday.com/mos-controlled-thyristor-mct
0 komentar:
Posting Komentar